二、未來發展新趨勢:3D NAND
什么是3D NAND？
3D NAND的概念其實不難理解：其原理簡單說來就是“堆疊”，目前由英特爾和鎂光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這么一來，一個MLC的閃存芯片上就可以增加最高32GB的存儲空間，如果是單個TLC閃存芯片則可增加48GB。就目前來說3D NAND閃存屬于一種新興的閃存類型，通過把存儲顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。
3D NAND
3D NAND技術的優點
3D NAND的亮點在于它采用的是立體、垂直堆疊的方式來提高單顆粒中包含芯片的數量，堆疊層數的提高最終會帶來容量的成倍提升，極大的提高產品的使用壽命；3D NAND可以提供更高的指令運行效率，使產品的運行性能得以提升；簡化了編程階段，有效減少了產品待機和工作時的能耗。
3D NAND
目前，三星、SK Hynix、東芝/閃迪、Intel/鎂光這幾大NAND豪門都已經涉足3D NAND閃存了，而武漢新芯科技主導的國家級存儲器產業基地，更是國內首家新建的12寸晶圓廠，投產后直接生產3D NAND閃存，可以說未來3D NAND就是突破移動設備ROM容量的必備技術。
總結：
科技在進步，我們永遠無法預知未來，未來的手機又會發展成啥樣呢？目前，小編還是建議大家購買64GB、128GB的手機更為合適，夠用就好。考慮到用戶需求的問題，相信之后很長一段時間也不會出超過256GB存儲規格的手機。
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