2.為何三星的14nm會輸給臺積電16nm?
A。三星半導體制程技術超越臺積電的始末:
三星電子在半導體制程技術，過去曾被臺積電董事長張忠謀稱為「雷達上一個小點」，但三星卻已在2014年12月初，開始量產14nm FinFET技術的芯片，領先臺積電至少半年，震驚整個半導體產業。三星在半導體制程技術大躍進的關鍵與臺積電研發部戰將梁孟松離職轉戰南韓三星有密切關系。
梁孟松是加州大學柏克萊分校電機博士，在臺積電的十七年間，戰功彪炳，是臺積電近五百個專利的發明人，負責或參與臺積電每一世代制程的最先進技術。梁孟松的強項之一正是臺積電與三星激烈競爭的FinFET技術，這與其恩師與博士指導教授，正是FinFET發明人~胡正明教授有關。由于對于調任「超越摩爾定律計劃」的安排不滿，梁孟松選擇在2009年投奔敵營。原本三星產品技術源自IBM，在粱孟松指導協助下，三星的45nm、32nm、28nm世代，與臺積電差異快速減少。
根據臺積電委托外部專家制作的一份「臺積電/三 星/IBM產品關鍵制程結構分析比對報告」，三星幾個關鍵制程特征與臺積電極為類似，雙方量產的FinFET產品單純從結構分析可能分不出系來自三星公司或來自臺積電公司。因此，臺積電認定「梁孟松應已泄漏臺積電公司之營業秘密予三星公司使用」，并提起法律訴訟。二審法院法官同意臺積電的要求，「為了防止泄漏臺積電的營業秘密」，梁孟松即日起到2015年12月31日止，不得以任職或其他方式為三星提供服務，梁孟松已上訴最高法院。另外一方面，臺積電找回兩度退休的臺積電研發大阿哥蔣尚義為董事長顧問，目標能讓臺積電7納米做到全世界最領先。
B。三星FinFET的效能與良率為何輸給臺積電:
三星A9處理器不但在效能與電池續航力輸給臺積電，媒體報導三星與格羅方德合作A9芯片良率僅有30%，遠落后于臺積電。三星電子在網羅臺積電前研發大將及其部屬下，關鍵制程技術源自于臺積電并領先使用更先進的制程，但為何卻在實際使用的效能與良率輸給臺積電?
相較于臺積電的芯片制程是按部就班由28nm > 20nm Planner > 16nm FinFET演進而來，三星則是由32nm/28nm Planner技術直接跳階到14nm FinFET技術。由于半導體FinFET技術與過去2D平面技術的經驗不同， FinFET無論在制程、設計、IP與電子設計自動化(EDA)工具各方面都必須經過克服眾多挑戰才能成熟，就結果論來看，三星似乎尚未能成熟駕馭FinFET這項新技術，尤其是良率與漏電控制上。三星雖然挖走了臺積電FinFET技術的戰將，但高階主管通常只記得大方向，防漏電及改善良率的苦功則還是要仰賴基層大量、高素質且年輕的肝堆砌而來，這目前仍是臺積電的強項。兩家公司產品的效能的差異，以跑步來舉例，三星雖然速度優于臺積電，但跑起來卻老是蛇行，最終還是輸給直行的臺積電。
不過，話雖如此，三星A9的效能仍是通過Apple的認可，不是三星A9的效能不好，而是臺積電做得太好。基于成本的考量與Apple過去的風格，三星仍在A9處理器訂單爭奪上占了上風。雖然臺積電暫時透過法律途徑暫時讓梁孟松無法正式在三星任職，但關鍵人才遭挖角導致原本技術的落差鴻溝被彌平的傷害已經造成，臺積電仍將面臨三星與中國很大的挑戰與嚴酷考驗。臺積電如何善用蔣尚義的指導及過去數十年累積的經驗與基礎盡早讓臺積電7nm做到全世界最領先，將是臺積電擺脫三星纏斗之道。
