據國外媒體phonearena報道，三星電子宣布其10納米(nm)FinFET工藝技術的產能正在穩步提升。與此同時，還將發力8nm和6nm工藝技術的研發。

三星昨天宣布稱，它正在加快生產10nm芯片。目前為止，已經將70000多顆第一代LPE(低功耗早期)硅晶片交付給客戶。三星自家的獵戶座8895，以及高通的驍龍835，都采用這種工藝制造。

三星電子執行副總裁Jongshik Yoon介紹，10nm第二代LPP版和第三代LPU版將分別在年底和明年進入批量生產。

芯片工藝的升級都會經歷這樣一個循序漸進的過程，仍記得驍龍810/820第一代LPE版的過熱問題曾困擾高通很久，在隨后更新的驍龍821中解決了這個問題。他表示，我們將繼續提供業內最具競爭力的工藝技術。

三星還同時宣布將向其當前的工藝路線圖中添加8nm和6nm工藝技術。與現有的工藝相比，它們將“提供更大的可擴展性，性能和功耗優勢”，8nm和6nm將繼承使用10nm和7nm工藝的技術創新。8nm和6nm工藝的所有技術細節將在5月24日美國舉行的三星鑄造論壇上公布。 這也許意味著明年手機將會搭載性能更好功耗更低的芯片處理器。