回顧今年的手機旗艦機型，眾多廠商選擇為自家的新一代旗艦產品配備了4GB RAM+128GB ROM內存組合的配置，然而歷來走在手機制造業前端的三星公司貌似不僅僅滿足于此，而是一直致力于研發更新、更快的UFS 2.0閃存來為用戶帶來更好的使用體驗。
在今年2月份的時候，就有傳聞顯示三星正在制造一款容量高達256GB的UFS 2.0閃存芯片，現在該芯片得詳細信息已經于三星官網正式亮相了，那么或許今年晚些時候發布的GALAXY Note 6就將搭載該芯片上市了。
從三星官網給出的信息來看，該芯片型號為KLUEG8U1EM-B0B1，封裝尺寸為11.5x13x1.2mm(僅比32GB閃存厚了0.2mm)，MLC采用雙傳輸信道的G3 2Lane規格，是目前規格最高的USF 2.0閃存。
性能方面，三星這款256GB的USF 2.0閃存芯片讀/寫操作IOPS分別可達45，000、40，000，比上一代UFS閃存快了一倍。此外，得益于串行界面以及全雙工運行(可同時讀寫操作)，三星這款UFS 2.0 256GB閃存的持續讀、寫速度分別可達850MB/s、260MB/s。其讀取速度比大多數電腦上的SATA SSD都要快。
此外，根據之前的消息，Note 6上的S Pen將在這個道路上再進一步，具備更多的人性化功能。已經曝光的三星專利顯示，未來的三星S Pen將具備彎折功能，而借助該功能從機身中取出一半的S Pen經過彎折就可以充當手機支架使用，由此也可以看出Note 6或許將采用尺寸更為巨大的屏幕了。
如此看來，為了和自家的S系列形成差異化，Note系列已經開始在尋找解決方案了，不過目前距離Note 6發布理論上還有將近半年的時間，更為詳細的信息目前還不清楚，至于Note 6相比上一代又會有哪些改變，我們還是拭目以待三星官方的消息吧。
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