對于不久前曝光的iPhone 6 Plus128GB機型遭遇頻繁死機的事件，業內分析認為可能與設備采用的TLC NAND存儲器控制IC的缺陷有關。雖然蘋果并沒有大舉措回應，但實際情況似乎確實存在。日前有報道稱，除了頂配版iPhone 6 Plus之外，iPhone 6 64GB版本機型其實也有部分批次采用了TLC閃存。
根據外媒Gforgames報道稱，韓國一家媒體Kbench日前將新iPhone中采用的兩類NAND閃存進行了測試對比，結果顯示MLC閃存在整體速度和閑置使用率的性能表現上比TLC更加出色。
Kbench針對MLC和TLC版本iPhone 6 64GB機型進行閃存性能寫入測試，分別采用了ZeroFill（全0模式）及RandomFill（100%隨機模式）拷貝資料，進行1K、2K逐級遞增至32768K等不同規格的大小測試，每個文件大小重復100次，測試結果令人震驚。
如上圖所示：第一個圖表為全0模式，采用TLC版本機型會針對系統內存進行動態快速存取優化，當系統進行拷貝時會使用系統存儲進行暫存，以提升TLC寫入系統的性能，但是當數據大小超過一定量級后，系統性能會出現嚴重下降，已經開啟的應用會出現延遲或閃退情況。
第二個圖表為隨機模式，TLC與MLC的性能差別在此項測試中明顯擴大了，對系統存儲難于對付的零碎文件進行實時動態存儲時，采用TLC閃存的機型寫入性能大幅下降。雖然采用MLC機型的表現也不是很理想，但在處理4K、8K、32K大數據包時的表現明顯更優于TLC。而在采用MCL版本機型拷進行貝時，系統內存并沒有針對磁盤進行快速存取，不過在數據拷貝的過程中整體表現穩定平均，不會出現像TLC閃存大起大落的現象，同樣不會出現延遲與閃退現象。
第三個圖表為磁盤使用情況，在右圖的MLC版本中，當進行拷貝時，磁盤使用率僅有輕微的上升，并不會像左圖的TLC版本一樣突然大量占用系統內存（“Inactive”部分），整個拷貝過程非常穩定。
綜合如上情況看來，如果你買到的是MLC版本iPhone 6 64GB機型那么可以暗喜了，如果不幸買到TLC版本機型，那么只能怪運氣欠佳了。不過，近期有報道稱，蘋果將會在下一批新設備中換用MLC閃存，同時也可能會為經鑒定存在該硬件問題的設備提供更換服務，所以大家還是不用眉頭緊鎖了。
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